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三星将在日本设半导体研发基地，担忧技术落后

信息来源：日经中文网【2023-12-26】

韩国三星电子12月21日正式宣布，将在日本横滨市设立半导体技术的研发基地。三星电子将与日本的企业、大学和研究机构共同开发尖端半导体的制造技术。三星对于尖端产品竞争中落后的危机感日趋加深，将加紧研发步伐，计划在未来5年投入超过400亿日元（约合人民币20.08亿元），日本经济产业省将最多补贴200亿日元。

新基地将负责研发将半导体芯片成型、封装为电子零部件的“后工序”制造技术。三星电子将深化与在后工序的材料和设备领域有优势的日本企业的合作。在主原料硅晶圆上绘制微细电路的“前工序”技术创新的难度增加的情况下，三星电子力争通过改进后工序来提高半导体性能。

虽然从销售额上看，三星是世界大厂，但其目前在尖端技术方面开始落后。在曾经最赚钱的主要产品DRAM领域，三星受到韩国SK海力士的猛烈追赶。

此外，在半导体代工业务上，三星与台积电(TSMC)的差距也在加大。在最尖端半导体领域，左右今后竞争力的后工序技术也变得更加重要，三星正在急于提高良品率。

三星正在寻求与有交易关系的，在后工序上有优势的日本公司揖斐电和爱德万，以及在材料技术上有优势的日本新兴企业和研究机构等的合作。在日韩关系改善的推动下，三星也正在计划与材料大厂开展共同研究项目。（来源：日经中文网）

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